推奨用途
FシリーズはFC-BGA、Chiplet、AIサーバー向け基板に対応し、標準絶縁から低損失・低CTE構造まで段階的に選定できます。
F · Series · Packaging Dielectric
F100 パッケージ絶縁フィルム
標準的なパッケージ基板向けフィルム。絶縁信頼性と工程適応性のバランスを重視します。
10~100 μm
厚み範囲
175~202 ℃
Tg範囲
0.0045~0.018
Df @5GHz
製品ポジション
パッケージ基板ビルドアップ絶縁向け材料プラットフォーム
FシリーズはFC-BGA、Chiplet、AIサーバー向け基板に対応し、標準絶縁から低損失・低CTE構造まで段階的に選定できます。
工程評価
ラミネーション流動、レーザー加工、銅めっき密着、リフロー耐熱、湿熱後の絶縁信頼性を合わせて評価します。
シリーズの考え方
ラミネーション流動、レーザー加工、銅めっき密着、リフロー耐熱、湿熱後の絶縁信頼性を合わせて評価します。
確認資料
目標誘電層厚み / L/Sと層数 / ラミネーション・リフロー条件
主要指標
主要指標範囲
詳細な工程条件、試験方法、全パラメータ項目はサンプル評価段階で確認します。
厚み範囲
10~100 μm
Tg範囲
175~202 ℃
Df @5GHz
0.0045~0.018
CTE範囲
19~40 ppm/K
* 数値は主要指標の参考範囲です。正式な試験項目、条件、サンプルロット、工程環境はサンプル評価と正式文書で確認してください。