推荐场景
适用于大尺寸芯片、细线路基板或对翘曲控制有更高要求的项目。
F · Series · Packaging Dielectric
F200 高填料封装胶膜
低CTE设计 (25 ppm/K)，适用于对尺寸稳定性要求较高的封装场景。
10~100 μm
厚度范围
175~202 ℃
Tg 范围
0.0045~0.018
Df @5GHz
Product Position · 产品定位
面向封装基板积层绝缘的基础材料平台
F200 以低 CTE 为主要方向，适合对尺寸稳定性和热循环稳定性更敏感的封装结构。
工艺评估
建议重点比较热循环后的尺寸变化、层间结合和内应力表现。
系列逻辑
评估时建议同步关注压合流动、激光开孔、化铜结合、回流耐热和高温高湿后的绝缘可靠性。
沟通资料
目标介质层厚度 / 线宽线距与层数 / 压合与回流条件
Key Data · 关键指标
关键指标范围
详细工艺条件、测试口径与完整参数项目建议在样品沟通阶段确认。
厚度范围
10~100 μm
Tg 范围
175~202 ℃
Df @5GHz
0.0045~0.018
CTE 范围
19~40 ppm/K
* 以上为关键指标参考范围。完整测试项目、测试条件、样品批次与工艺环境，以双方样品评估和正式文件确认为准。